Справочник MOSFET. MTE05N10FP

 

MTE05N10FP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTE05N10FP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для MTE05N10FP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE05N10FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  cystek
 mte05n10fp.pdf pdf_icon

MTE05N10FP

Spec. No. : C928FP Issued Date : 2015.03.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE05N10FP ID @ VGS=10V, TC=25C 109A 5.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A 6.2m RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Ch

 6.1. Size:277K  cystek
 mte05n10e3.pdf pdf_icon

MTE05N10FP

Spec. No. : C928E3 Issued Date : 2013.11.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.12 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTE05N10E3 ID 140A5.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 6.2m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Charact

 8.1. Size:277K  cystek
 mte05n08e3.pdf pdf_icon

MTE05N10FP

Spec. No. : C918E3 Issued Date : 2013.06.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 80VMTE05N08E3 ID 180A4.3m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 4.5m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic

 9.1. Size:468K  1
 mte050n15brv8.pdf pdf_icon

MTE05N10FP

Spec. No. : C033V8 Issued Date : 2017.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE050N15BRV8BVDSS 150VID @ TC=25C, VGS=10V 12.4A ID @ TA=25C, VGS=10V 4.3A 49.1m VGS=10V, ID=3.4A Features RDSON(TYP) 58.5m VGS=6V, ID=3.3A Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTD6N15T4 , MTD6N15T4G , MTD6N15T4GV , MTD6N20ET4 , MTD6N20ET4G , MTD6P10E , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , 2SK3878 , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 .

History: NTMFS6H852NL | HUF75343S3ST | NTD20N06T4 | WMM08N65EM | JCS9N90FT | A03415

 

 
Back to Top

 


 
.