MTE150P20H8 Todos los transistores

 

MTE150P20H8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTE150P20H8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.174 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de MTE150P20H8 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MTE150P20H8 datasheet

 ..1. Size:444K  cystek
 mte150p20h8.pdf pdf_icon

MTE150P20H8

Spec. No. C992H8 Issued Date 2014.12.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -200V MTE150P20H8 ID@VGS=-10V, TC=25 C -15A ID@VGS=-10V, TA=25 C -2.3A VGS=-10V, ID=-3.8A 137m Features RDSON(TYP) VGS=-6V, ID=-3.6A 142m Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Chara

Otros transistores... MTD6N15T4GV , MTD6N20ET4 , MTD6N20ET4G , MTD6P10E , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , IRFP250N , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.