MTE150P20H8 Todos los transistores

 

MTE150P20H8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTE150P20H8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.174 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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MTE150P20H8 Datasheet (PDF)

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MTE150P20H8

Spec. No. : C992H8 Issued Date : 2014.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -200VMTE150P20H8ID@VGS=-10V, TC=25C -15A ID@VGS=-10V, TA=25C -2.3A VGS=-10V, ID=-3.8A 137m Features RDSON(TYP) VGS=-6V, ID=-3.6A 142m Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Chara

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History: TPCA8A04-H | SWHA15N04V | GSM9997 | SWHA110R06VT | HSU6032 | SWHA40N06V | HSU6006

 

 
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