MTE150P20H8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTE150P20H8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.174 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MTE150P20H8 MOSFET
MTE150P20H8 Datasheet (PDF)
mte150p20h8.pdf

Spec. No. : C992H8 Issued Date : 2014.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -200VMTE150P20H8ID@VGS=-10V, TC=25C -15A ID@VGS=-10V, TA=25C -2.3A VGS=-10V, ID=-3.8A 137m Features RDSON(TYP) VGS=-6V, ID=-3.6A 142m Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Chara
Otros transistores... MTD6N15T4GV , MTD6N20ET4 , MTD6N20ET4G , MTD6P10E , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , AON7408 , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 .



Liste
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