MTE150P20H8 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTE150P20H8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTE150P20H8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.174 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для MTE150P20H8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE150P20H8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:444K  cystek
 mte150p20h8.pdf pdf_icon

MTE150P20H8

Spec. No. : C992H8 Issued Date : 2014.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -200VMTE150P20H8ID@VGS=-10V, TC=25C -15A ID@VGS=-10V, TA=25C -2.3A VGS=-10V, ID=-3.8A 137m Features RDSON(TYP) VGS=-6V, ID=-3.6A 142m Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Chara

Другие MOSFET... MTD6N15T4GV , MTD6N20ET4 , MTD6N20ET4G , MTD6P10E , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , IRFP250N , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 .

History: NTLJS2103PTBG | LSG50R160HT | NTLJS1102PTBG | TPD60R1K5MFD | HM4853 | NTLJS3113PT1G | LSG60R240HT

 

 
Back to Top

 


 
.