Справочник MOSFET. MTE150P20H8

 

MTE150P20H8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTE150P20H8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.174 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для MTE150P20H8

 

 

MTE150P20H8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:444K  cystek
 mte150p20h8.pdf

MTE150P20H8 MTE150P20H8

Spec. No. : C992H8 Issued Date : 2014.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -200VMTE150P20H8ID@VGS=-10V, TC=25C -15A ID@VGS=-10V, TA=25C -2.3A VGS=-10V, ID=-3.8A 137m Features RDSON(TYP) VGS=-6V, ID=-3.6A 142m Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Chara

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top