MTE150P20H8 - описание и поиск аналогов

 

MTE150P20H8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTE150P20H8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.174 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для MTE150P20H8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE150P20H8 даташит

 ..1. Size:444K  cystek
 mte150p20h8.pdf pdf_icon

MTE150P20H8

Spec. No. C992H8 Issued Date 2014.12.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -200V MTE150P20H8 ID@VGS=-10V, TC=25 C -15A ID@VGS=-10V, TA=25 C -2.3A VGS=-10V, ID=-3.8A 137m Features RDSON(TYP) VGS=-6V, ID=-3.6A 142m Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Chara

Другие MOSFET... MTD6N15T4GV , MTD6N20ET4 , MTD6N20ET4G , MTD6P10E , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , IRFP250N , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 .

History: NCEP0114AS | AF10N60S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.