MTE55N10FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTE55N10FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTE55N10FP

MTE55N10FP Datasheet (PDF)

..1. Size:350K cystek
mte55n10fp.pdf

Spec. No. : C959FP Issued Date : 2014.11.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE55N10FP ID 18ARDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 55.4 m(typ)RDS(ON)@VGS=7V, ID=12A 56.1 m(typ)Description The MTE55N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switch

8.1. Size:366K cystek
mte55n20j3.pdf

Spec. No. : C976J3 Issued Date : 2014.09.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.10.02 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE55N20J3 ID@VGS=10V 26AVGS=10V, ID=11A 48m RDSON(TYP) VGS=7V, ID=5A 50m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-2

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: