Справочник MOSFET. MTE55N10FP

 

MTE55N10FP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTE55N10FP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP

 Аналог (замена) для MTE55N10FP

 

 

MTE55N10FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  cystek
 mte55n10fp.pdf

MTE55N10FP MTE55N10FP

Spec. No. : C959FP Issued Date : 2014.11.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE55N10FP ID 18ARDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 55.4 m(typ)RDS(ON)@VGS=7V, ID=12A 56.1 m(typ)Description The MTE55N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switch

 8.1. Size:366K  cystek
 mte55n20j3.pdf

MTE55N10FP MTE55N10FP

Spec. No. : C976J3 Issued Date : 2014.09.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.10.02 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE55N20J3 ID@VGS=10V 26AVGS=10V, ID=11A 48m RDSON(TYP) VGS=7V, ID=5A 50m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-2

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top