MTE55N10FP - описание и поиск аналогов

 

MTE55N10FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTE55N10FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для MTE55N10FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE55N10FP даташит

 ..1. Size:350K  cystek
 mte55n10fp.pdf pdf_icon

MTE55N10FP

Spec. No. C959FP Issued Date 2014.11.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTE55N10FP ID 18A RDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 55.4 m (typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=12A 56.1 m (typ) Description The MTE55N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switch

 8.1. Size:366K  cystek
 mte55n20j3.pdf pdf_icon

MTE55N10FP

Spec. No. C976J3 Issued Date 2014.09.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.10.02 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE55N20J3 ID@VGS=10V 26A VGS=10V, ID=11A 48m RDSON(TYP) VGS=7V, ID=5A 50m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-2

Другие MOSFET... MTD6N20ET4 , MTD6N20ET4G , MTD6P10E , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , IRF630 , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N .

History: NCEP0140AG | AF10N60S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.