MTE55N20J3 Todos los transistores

 

MTE55N20J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTE55N20J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 93.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTE55N20J3 datasheet

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MTE55N20J3

Spec. No. C976J3 Issued Date 2014.09.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.10.02 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE55N20J3 ID@VGS=10V 26A VGS=10V, ID=11A 48m RDSON(TYP) VGS=7V, ID=5A 50m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-2

 8.1. Size:350K  cystek
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MTE55N20J3

Spec. No. C959FP Issued Date 2014.11.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTE55N10FP ID 18A RDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 55.4 m (typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=12A 56.1 m (typ) Description The MTE55N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switch

Otros transistores... MTD6N20ET4G , MTD6P10E , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , IRF9540 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N , IPB35CN10N .

 

 

 

 

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