MTE55N20J3 Todos los transistores

 

MTE55N20J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTE55N20J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 93.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MTE55N20J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  cystek
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MTE55N20J3

Spec. No. : C976J3 Issued Date : 2014.09.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.10.02 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE55N20J3 ID@VGS=10V 26AVGS=10V, ID=11A 48m RDSON(TYP) VGS=7V, ID=5A 50m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-2

 8.1. Size:350K  cystek
 mte55n10fp.pdf pdf_icon

MTE55N20J3

Spec. No. : C959FP Issued Date : 2014.11.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE55N10FP ID 18ARDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 55.4 m(typ)RDS(ON)@VGS=7V, ID=12A 56.1 m(typ)Description The MTE55N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switch

Otros transistores... MTD6N20ET4G , MTD6P10E , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , K3569 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N , IPB35CN10N .

History: SSF1331P | SI4831DY

 

 
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