MTE55N20J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTE55N20J3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 107 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 26 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 100 nC
Tiempo de subida (tr): 93.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 215 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTE55N20J3
MTE55N20J3 Datasheet (PDF)
mte55n20j3.pdf
Spec. No. : C976J3 Issued Date : 2014.09.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.10.02 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE55N20J3 ID@VGS=10V 26AVGS=10V, ID=11A 48m RDSON(TYP) VGS=7V, ID=5A 50m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-2
mte55n10fp.pdf
Spec. No. : C959FP Issued Date : 2014.11.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE55N10FP ID 18ARDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 55.4 m(typ)RDS(ON)@VGS=7V, ID=12A 56.1 m(typ)Description The MTE55N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switch
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
