Справочник MOSFET. MTE55N20J3

 

MTE55N20J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTE55N20J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 26 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
   Время нарастания (tr): 93.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 215 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTE55N20J3

 

 

MTE55N20J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  cystek
 mte55n20j3.pdf

MTE55N20J3 MTE55N20J3

Spec. No. : C976J3 Issued Date : 2014.09.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.10.02 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTE55N20J3 ID@VGS=10V 26AVGS=10V, ID=11A 48m RDSON(TYP) VGS=7V, ID=5A 50m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-2

 8.1. Size:350K  cystek
 mte55n10fp.pdf

MTE55N20J3 MTE55N20J3

Spec. No. : C959FP Issued Date : 2014.11.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE55N10FP ID 18ARDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 55.4 m(typ)RDS(ON)@VGS=7V, ID=12A 56.1 m(typ)Description The MTE55N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switch

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF4905 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top