MTE6D5N12B0E3 Todos los transistores

 

MTE6D5N12B0E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTE6D5N12B0E3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 593 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm

Encapsulados: TO-220

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MTE6D5N12B0E3 datasheet

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MTE6D5N12B0E3

Spec. No. C935E3 Issued Date 2014.03.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 120V MTE6D5N12B0E3 ID @ VGS=10V 129A 7.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=50A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 8.5m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Char

Otros transistores... MTD6P10E , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , AON7408 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N , IPB35CN10N , IPU33CN10N .

History: PD628BA | UPA2450B

 

 

 

 

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