MTE6D5N12B0E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTE6D5N12B0E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 119 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 593 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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MTE6D5N12B0E3 Datasheet (PDF)

..1. Size:334K cystek
mte6d5n12b0e3.pdf

Spec. No. : C935E3 Issued Date : 2014.03.31 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 120VMTE6D5N12B0E3 ID @ VGS=10V 129A7.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=50A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 8.5m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Char

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Liste

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