MTE6D5N12B0E3 - описание и поиск аналогов

 

MTE6D5N12B0E3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTE6D5N12B0E3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 593 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MTE6D5N12B0E3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE6D5N12B0E3 даташит

 ..1. Size:334K  cystek
 mte6d5n12b0e3.pdf pdf_icon

MTE6D5N12B0E3

Spec. No. C935E3 Issued Date 2014.03.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 120V MTE6D5N12B0E3 ID @ VGS=10V 129A 7.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=50A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 8.5m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Char

Другие MOSFET... MTD6P10E , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , AON7408 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N , IPB35CN10N , IPU33CN10N .

History: P0806ATX

 

 

 

 

↑ Back to Top
.