MTE6D5N12B0E3 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTE6D5N12B0E3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTE6D5N12B0E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 593 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MTE6D5N12B0E3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE6D5N12B0E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  cystek
 mte6d5n12b0e3.pdf pdf_icon

MTE6D5N12B0E3

Spec. No. : C935E3 Issued Date : 2014.03.31 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 120VMTE6D5N12B0E3 ID @ VGS=10V 129A7.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=50A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 8.5m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Char

Другие MOSFET... MTD6P10E , MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , IRLZ44N , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N , IPB35CN10N , IPU33CN10N .

History: PT5B9BA | PA002FMA | PR802BA33 | MTG9N50E | PV616DA | CEB14N5

 

 
Back to Top

 


 
.