MTE8D0N08H8 Todos los transistores

 

MTE8D0N08H8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTE8D0N08H8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 286 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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MTE8D0N08H8 Datasheet (PDF)

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MTE8D0N08H8

Spec. No. : C991H8 Issued Date : 2014.12.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 80VMTE8D0N08H8ID@VGS=10V, TC=25C 50A ID@VGS=10V, TC=100C 32A ID@VGS=10V, TA=25C 15A Features ID@VGS=10V, TA=70C 12A RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 7.1 m(typ) Single Drive Requirement RDS(ON)@VGS=7V, ID=20A 7.9 m(

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History: IPD650P06NM | TPCA8A02-H | BUK75150-55A | FDS4410 | NCEP050N85D | MTE6D5N12B0E3 | IPB70N10S3-12

 

 
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