MTE8D0N08H8 Todos los transistores

 

MTE8D0N08H8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTE8D0N08H8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 286 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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MTE8D0N08H8 datasheet

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MTE8D0N08H8

Spec. No. C991H8 Issued Date 2014.12.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 80V MTE8D0N08H8 ID@VGS=10V, TC=25 C 50A ID@VGS=10V, TC=100 C 32A ID@VGS=10V, TA=25 C 15A Features ID@VGS=10V, TA=70 C 12A RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 7.1 m (typ) Single Drive Requirement RDS(ON)@VGS=7V, ID=20A 7.9 m (

Otros transistores... MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , 2SK3878 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N , IPB35CN10N , IPU33CN10N , IPB80CN10N .

 

 

 

 

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