MTE8D0N08H8 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTE8D0N08H8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTE8D0N08H8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 286 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для MTE8D0N08H8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE8D0N08H8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  cystek
 mte8d0n08h8.pdf pdf_icon

MTE8D0N08H8

Spec. No. : C991H8 Issued Date : 2014.12.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 80VMTE8D0N08H8ID@VGS=10V, TC=25C 50A ID@VGS=10V, TC=100C 32A ID@VGS=10V, TA=25C 15A Features ID@VGS=10V, TA=70C 12A RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 7.1 m(typ) Single Drive Requirement RDS(ON)@VGS=7V, ID=20A 7.9 m(

Другие MOSFET... MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , 8205A , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N , IPB35CN10N , IPU33CN10N , IPB80CN10N .

History: PT5B9BA | PV616DA | PR802BA33 | CEB14N5 | MTG9N50E | PA002FMA

 

 
Back to Top

 


 
.