Справочник MOSFET. MTE8D0N08H8

 

MTE8D0N08H8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTE8D0N08H8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 286 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для MTE8D0N08H8

 

 

MTE8D0N08H8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  cystek
 mte8d0n08h8.pdf

MTE8D0N08H8 MTE8D0N08H8

Spec. No. : C991H8 Issued Date : 2014.12.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 80VMTE8D0N08H8ID@VGS=10V, TC=25C 50A ID@VGS=10V, TC=100C 32A ID@VGS=10V, TA=25C 15A Features ID@VGS=10V, TA=70C 12A RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 7.1 m(typ) Single Drive Requirement RDS(ON)@VGS=7V, ID=20A 7.9 m(

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , SKD502T , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top