MTE8D0N08H8 - описание и поиск аналогов

 

MTE8D0N08H8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTE8D0N08H8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 286 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для MTE8D0N08H8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE8D0N08H8 даташит

 ..1. Size:427K  cystek
 mte8d0n08h8.pdf pdf_icon

MTE8D0N08H8

Spec. No. C991H8 Issued Date 2014.12.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 80V MTE8D0N08H8 ID@VGS=10V, TC=25 C 50A ID@VGS=10V, TC=100 C 32A ID@VGS=10V, TA=25 C 15A Features ID@VGS=10V, TA=70 C 12A RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 7.1 m (typ) Single Drive Requirement RDS(ON)@VGS=7V, ID=20A 7.9 m (

Другие MOSFET... MTDP9620Q8 , MTDP9933KQ8 , MTE05N10FP , MTE130N20J3 , MTE150P20H8 , MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , 2SK3878 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N , IPB35CN10N , IPU33CN10N , IPB80CN10N .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.