IPU78CN10N Todos los transistores

 

IPU78CN10N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPU78CN10N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm

Encapsulados: TO251

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IPU78CN10N datasheet

 ..1. Size:705K  infineon
 ipb80cn10n ipd78cn10n ipi80cn10n ipp80cn10n ipu78cn10n.pdf pdf_icon

IPU78CN10N

IPB80CN10N G IPD78CN10N G IPI80CN10N G IPP80CN10N G IPU78CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 78 m DS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 13 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

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History: KP747A | MTM10N100E | SSG0410

 

 

 

 

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