Справочник MOSFET. IPU78CN10N

 

IPU78CN10N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPU78CN10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IPU78CN10N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU78CN10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  infineon
 ipb80cn10n ipd78cn10n ipi80cn10n ipp80cn10n ipu78cn10n.pdf pdf_icon

IPU78CN10N

IPB80CN10N G IPD78CN10N GIPI80CN10N G IPP80CN10N G IPU78CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 78mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 13 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

Другие MOSFET... MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N , IPB35CN10N , IPU33CN10N , IPB80CN10N , 2SK3568 , MTH15N40 , MTH20N15 , MTH5N100 , MTH5N95 , MTH6N100 , MTH6N100E , MTH6N55 , MTH6N60 .

History: WM02N45M | RJK0303DPC

 

 
Back to Top

 


 
.