IPU78CN10N - описание и поиск аналогов

 

IPU78CN10N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPU78CN10N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для IPU78CN10N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU78CN10N даташит

 ..1. Size:705K  infineon
 ipb80cn10n ipd78cn10n ipi80cn10n ipp80cn10n ipu78cn10n.pdf pdf_icon

IPU78CN10N

IPB80CN10N G IPD78CN10N G IPI80CN10N G IPP80CN10N G IPU78CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 78 m DS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 13 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

Другие MOSFET... MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , IPU25CN10N , IPB35CN10N , IPU33CN10N , IPB80CN10N , 4435 , MTH15N40 , MTH20N15 , MTH5N100 , MTH5N95 , MTH6N100 , MTH6N100E , MTH6N55 , MTH6N60 .

History: NTB75N06G | AGM310MD | KRF7501 | P0603BDG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.