MTH8N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTH8N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-218
Búsqueda de reemplazo de MTH8N60 MOSFET
MTH8N60 Datasheet (PDF)
Otros transistores... MTH5N95 , MTH6N100 , MTH6N100E , MTH6N55 , MTH6N60 , MTH8N35 , MTH8N40 , MTH8N55 , IRLB4132 , MTH8N90 , MTM10N100E , MTM10N25 , MTM12N10 , MTM12P05 , MTM12P06 , MTM12P08 , MTM12P10 .
History: FHP100N03B | TPC8064-H | APTC60HM45SCTG | FTK4410D | ME200N04T-G
History: FHP100N03B | TPC8064-H | APTC60HM45SCTG | FTK4410D | ME200N04T-G



Liste
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