Справочник MOSFET. MTH8N60

 

MTH8N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTH8N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 127 nC
   trⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-218
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTH8N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:390K  motorola
mth8n55 mth8n60 mtm8n60.pdfpdf_icon

MTH8N60

 9.1. Size:398K  motorola
mth8n90.pdfpdf_icon

MTH8N60

 9.2. Size:388K  motorola
mth8n35 mth8n40 mtm8n35 mtm8n40.pdfpdf_icon

MTH8N60

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.