MTM26N40E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTM26N40E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-204
Búsqueda de reemplazo de MTM26N40E MOSFET
MTM26N40E Datasheet (PDF)
mtm26n40e.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM26N40(MTM26N40E) Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of pow
Otros transistores... MTM23123 , MTM23223 , MTM232230LBF , MTM23227 , MTM232270LBF , MTM24N45E , MTM24N50 , MTM25N10 , STP65NF06 , MTM2N50 , MTM2N85 , MTM2N90 , MTM30N50 , MTM3N60 , MTM40N20 , MTM45N15 , MTM4N45 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290

