MTM26N40E - описание и поиск аналогов

 

MTM26N40E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTM26N40E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-204

Аналог (замена) для MTM26N40E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTM26N40E даташит

 ..1. Size:23K  shaanxi
 mtm26n40e.pdf pdf_icon

MTM26N40E

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM26N40(MTM26N40E) Power MOSFET(N-channel) Transistor Features 1. It s voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of pow

Другие MOSFET... MTM23123 , MTM23223 , MTM232230LBF , MTM23227 , MTM232270LBF , MTM24N45E , MTM24N50 , MTM25N10 , STP65NF06 , MTM2N50 , MTM2N85 , MTM2N90 , MTM30N50 , MTM3N60 , MTM40N20 , MTM45N15 , MTM4N45 .

History: NTD3055L170T4G | AS3409 | PE618BA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.