Справочник MOSFET. MTM26N40E

 

MTM26N40E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTM26N40E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-204
 

 Аналог (замена) для MTM26N40E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTM26N40E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
 mtm26n40e.pdf pdf_icon

MTM26N40E

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM26N40(MTM26N40E) Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of pow

Другие MOSFET... MTM23123 , MTM23223 , MTM232230LBF , MTM23227 , MTM232270LBF , MTM24N45E , MTM24N50 , MTM25N10 , IRFZ48N , MTM2N50 , MTM2N85 , MTM2N90 , MTM30N50 , MTM3N60 , MTM40N20 , MTM45N15 , MTM4N45 .

History: TK40P04M1 | IRF2807ZLPBF | BUK7Y65-100E

 

 
Back to Top

 


 
.