MTM6N90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTM6N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Encapsulados: TO-204
Búsqueda de reemplazo de MTM6N90 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
MTM6N90 datasheet
mtm6n90.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM6N90(MTM6N90) Power MOSFET(N-channel) Transistor Features 1. It s voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power
Otros transistores... MTM5N35 , MTM5N40 , MTM5N95 , MTM60N05 , MTM60N06 , MTM68410 , MTM68411 , MTM6N60 , IRF3205 , MTM76110 , MTM76111 , MTM76123 , MTM76320 , MTM76325 , MTM76420 , MTM76520 , MTM78E2B .
History: AOB210L
History: AOB210L
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent