MTM6N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTM6N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-204
Búsqueda de reemplazo de MTM6N90 MOSFET
MTM6N90 Datasheet (PDF)
mtm6n90.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM6N90(MTM6N90) Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power
Otros transistores... MTM5N35 , MTM5N40 , MTM5N95 , MTM60N05 , MTM60N06 , MTM68410 , MTM68411 , MTM6N60 , IRF3205 , MTM76110 , MTM76111 , MTM76123 , MTM76320 , MTM76325 , MTM76420 , MTM76520 , MTM78E2B .
History: LSD60R1K4HT | RHU003N03FRA | AP4415GJ-HF | IPA60R1K0CE | AOB9N70L | PHD77NQ03T | IRF7Y1405CM
History: LSD60R1K4HT | RHU003N03FRA | AP4415GJ-HF | IPA60R1K0CE | AOB9N70L | PHD77NQ03T | IRF7Y1405CM



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent