MTM6N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTM6N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-204

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MTM6N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTM6N90 даташит

 ..1. Size:23K  shaanxi
 mtm6n90.pdf pdf_icon

MTM6N90

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM6N90(MTM6N90) Power MOSFET(N-channel) Transistor Features 1. It s voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power

 9.1. Size:232K  motorola
 mth6n55 mth6n60 mtm6n60.pdf pdf_icon

MTM6N90

Другие IGBT... MTM5N35, MTM5N40, MTM5N95, MTM60N05, MTM60N06, MTM68410, MTM68411, MTM6N60, IRF3205, MTM76110, MTM76111, MTM76123, MTM76320, MTM76325, MTM76420, MTM76520, MTM78E2B