Справочник MOSFET. MTM6N90

 

MTM6N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTM6N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-204
 

 Аналог (замена) для MTM6N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTM6N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
 mtm6n90.pdf pdf_icon

MTM6N90

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM6N90(MTM6N90) Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power

 9.1. Size:232K  motorola
 mth6n55 mth6n60 mtm6n60.pdf pdf_icon

MTM6N90

Другие MOSFET... MTM5N35 , MTM5N40 , MTM5N95 , MTM60N05 , MTM60N06 , MTM68410 , MTM68411 , MTM6N60 , IRF3205 , MTM76110 , MTM76111 , MTM76123 , MTM76320 , MTM76325 , MTM76420 , MTM76520 , MTM78E2B .

History: PDN3916S | STP60N3LH5

 

 
Back to Top

 


 
.