MTM78E2B0LBF Todos los transistores

 

MTM78E2B0LBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTM78E2B0LBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: WSMINI8-F1-B

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MTM78E2B0LBF datasheet

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MTM78E2B0LBF

Doc No. TT4-EA-12408 Revision. 2 Product Standards MOS FET MTM78E2B0LBF MTM78E2B0LBF Gate Resistor installed Dual N-Channel MOS Type Unit mm 2.0 For lithium-ion secondary battery protection circuit 0.2 0.13 8 7 6 5 Features Low drain-source On-state Resistance RDS(on) typ. = 21.5 m (VGS =4.0 V) Halogen-free / RoHS compliant 1 2 3 4 (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL

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MTM78E2B0LBF

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Silicon MOS FETs (Small Signal) MTM78E2B Dual N-channel MOS FET For lithium-ion secondary battery protection circuit Overview Package MTM78E2B is the MOS FET which is suitable for lithium ion secondary Code battery protection circuit and features low on-resistance by the leading-edge fine WSMini8-F1-B process a

Otros transistores... MTM76110 , MTM76111 , MTM76123 , MTM76320 , MTM76325 , MTM76420 , MTM76520 , MTM78E2B , IRF640 , MTM7N45 , MTM7N50 , MTM86124 , MTM86127 , MTM86128 , MTM86227 , MTM8N20 , MTM8N35 .

History: IMZ120R350M1H

 

 

 

 

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