Справочник MOSFET. MTM78E2B0LBF

 

MTM78E2B0LBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTM78E2B0LBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: WSMINI8-F1-B
 

 Аналог (замена) для MTM78E2B0LBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTM78E2B0LBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  panasonic
 mtm78e2b0lbf.pdf pdf_icon

MTM78E2B0LBF

Doc No. TT4-EA-12408Revision. 2Product StandardsMOS FETMTM78E2B0LBFMTM78E2B0LBFGate Resistor installed Dual N-Channel MOS TypeUnit: mm 2.0For lithium-ion secondary battery protection circuit0.2 0.138 7 6 5 Features Low drain-source On-state Resistance RDS(on) typ. = 21.5 m (VGS =4.0 V) Halogen-free / RoHS compliant1 2 3 4 (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL

 6.1. Size:517K  panasonic
 mtm78e2b.pdf pdf_icon

MTM78E2B0LBF

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Silicon MOS FETs (Small Signal) MTM78E2BDual N-channel MOS FETFor lithium-ion secondary battery protection circuit Overview PackageMTM78E2B is the MOS FET which is suitable for lithium ion secondary Codebattery protection circuit and features low on-resistance by the leading-edge fine WSMini8-F1-Bprocess a

Другие MOSFET... MTM76110 , MTM76111 , MTM76123 , MTM76320 , MTM76325 , MTM76420 , MTM76520 , MTM78E2B , IRFP460 , MTM7N45 , MTM7N50 , MTM86124 , MTM86127 , MTM86128 , MTM86227 , MTM8N20 , MTM8N35 .

History: MRF154 | LP3218DT1G | EN2305 | PK650BA | SM6016NSU | D84DN2 | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.