MTM78E2B0LBF - описание и поиск аналогов

 

MTM78E2B0LBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTM78E2B0LBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: WSMINI8-F1-B

Аналог (замена) для MTM78E2B0LBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTM78E2B0LBF даташит

 ..1. Size:355K  panasonic
 mtm78e2b0lbf.pdf pdf_icon

MTM78E2B0LBF

Doc No. TT4-EA-12408 Revision. 2 Product Standards MOS FET MTM78E2B0LBF MTM78E2B0LBF Gate Resistor installed Dual N-Channel MOS Type Unit mm 2.0 For lithium-ion secondary battery protection circuit 0.2 0.13 8 7 6 5 Features Low drain-source On-state Resistance RDS(on) typ. = 21.5 m (VGS =4.0 V) Halogen-free / RoHS compliant 1 2 3 4 (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL

 6.1. Size:517K  panasonic
 mtm78e2b.pdf pdf_icon

MTM78E2B0LBF

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Silicon MOS FETs (Small Signal) MTM78E2B Dual N-channel MOS FET For lithium-ion secondary battery protection circuit Overview Package MTM78E2B is the MOS FET which is suitable for lithium ion secondary Code battery protection circuit and features low on-resistance by the leading-edge fine WSMini8-F1-B process a

Другие MOSFET... MTM76110 , MTM76111 , MTM76123 , MTM76320 , MTM76325 , MTM76420 , MTM76520 , MTM78E2B , IRF640 , MTM7N45 , MTM7N50 , MTM86124 , MTM86127 , MTM86128 , MTM86227 , MTM8N20 , MTM8N35 .

History: MTM76520 | SI3453DV

 

 

 

 

↑ Back to Top
.