Справочник MOSFET. MTM78E2B0LBF

 

MTM78E2B0LBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTM78E2B0LBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: WSMINI8-F1-B
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTM78E2B0LBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  panasonic
 mtm78e2b0lbf.pdf pdf_icon

MTM78E2B0LBF

Doc No. TT4-EA-12408Revision. 2Product StandardsMOS FETMTM78E2B0LBFMTM78E2B0LBFGate Resistor installed Dual N-Channel MOS TypeUnit: mm 2.0For lithium-ion secondary battery protection circuit0.2 0.138 7 6 5 Features Low drain-source On-state Resistance RDS(on) typ. = 21.5 m (VGS =4.0 V) Halogen-free / RoHS compliant1 2 3 4 (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL

 6.1. Size:517K  panasonic
 mtm78e2b.pdf pdf_icon

MTM78E2B0LBF

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Silicon MOS FETs (Small Signal) MTM78E2BDual N-channel MOS FETFor lithium-ion secondary battery protection circuit Overview PackageMTM78E2B is the MOS FET which is suitable for lithium ion secondary Codebattery protection circuit and features low on-resistance by the leading-edge fine WSMini8-F1-Bprocess a

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.