MTMC8E2A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTMC8E2A
   Código: 4B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 700 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: WMINI8-F1

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTMC8E2A

MTMC8E2A Datasheet (PDF)

..1. Size:434K panasonic
mtmc8e2a.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTMC8E2ASilicon N-channel MOS FETFor lithium-ion secondary battery protection circuit Overview PackageThe MTMC8E2A is the low ON resistance dual N-channel MOS FET Codedesigned for lithium-ion secondary battery protection circuit. WMini8-F1Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-

0.1. Size:279K panasonic
mtmc8e2a0lbf.pdf

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History: MRF151G | IPD65R600C6 | JCS24N50ABH

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