MTMC8E2A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTMC8E2A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 700 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: WMINI8-F1
Аналог (замена) для MTMC8E2A
MTMC8E2A Datasheet (PDF)
mtmc8e2a.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTMC8E2ASilicon N-channel MOS FETFor lithium-ion secondary battery protection circuit Overview PackageThe MTMC8E2A is the low ON resistance dual N-channel MOS FET Codedesigned for lithium-ion secondary battery protection circuit. WMini8-F1Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-
mtmc8e2a0lbf.pdf

Doc No. TT4-EA-12100Revision. 2Product StandardsMOS FETMTMC8E2A0LBFMTMC8E2A0LBFGate Resistor installed Dual N-Channel MOS TypUnit: mm 2.9For lithium-ion secondary battery protection circuit0.3 0.168 7 6 5 Features Low drain-source On-state Resistance RDS(on) typ. = 15 m (VGS =4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 com
Другие MOSFET... MTM8N20 , MTM8N35 , MTM8N40 , MTM8N60 , MTM98140 , MTM981400BBF , MTM98240 , MTM982400BBF , STP75NF75 , MTN12N30FP , MTN12N60BFP , MTN1N60L3 , MTN2300AN3 , MTN4N65F3 , MTN8N65FI , MTN9N50FP , MTP10N08 .
History: VBZFB40P03
History: VBZFB40P03



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor