Справочник MOSFET. MTMC8E2A

 

MTMC8E2A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTMC8E2A
   Маркировка: 4B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 700 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: WMINI8-F1

 Аналог (замена) для MTMC8E2A

 

 

MTMC8E2A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  panasonic
 mtmc8e2a.pdf

MTMC8E2A MTMC8E2A

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTMC8E2ASilicon N-channel MOS FETFor lithium-ion secondary battery protection circuit Overview PackageThe MTMC8E2A is the low ON resistance dual N-channel MOS FET Codedesigned for lithium-ion secondary battery protection circuit. WMini8-F1Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-

 0.1. Size:279K  panasonic
 mtmc8e2a0lbf.pdf

MTMC8E2A MTMC8E2A

Doc No. TT4-EA-12100Revision. 2Product StandardsMOS FETMTMC8E2A0LBFMTMC8E2A0LBFGate Resistor installed Dual N-Channel MOS TypUnit: mm 2.9For lithium-ion secondary battery protection circuit0.3 0.168 7 6 5 Features Low drain-source On-state Resistance RDS(on) typ. = 15 m (VGS =4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 com

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top