MTN8N65FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN8N65FI
Código: 8N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 165 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 32 nC
Tiempo de subida (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-262
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN8N65FI
MTN8N65FI Datasheet (PDF)
mtn8n65fi.pdf
Spec. No. : C727FI Issued Date : 2012.09.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2015.03.16 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 650VMTN8N65FI ID @ VGS=10V, TC=25C 7.5A 1.2 RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=3.75A Description The MTN8N65FI is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, r
mtn8n65fp.pdf
Spec. No. : C727FP Issued Date : 2009.06.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.08 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) :1.2(typ.) MTN8N65FP ID : 7.5A Description The MTN8N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn8n65ea.pdf
Spec. No. : C727EA Issued Date : 2010.12.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.12.29 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) :1.1(typ.) MTN8N65EA ID : 7.5A Description The MTN8N65EA is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re
mtn8n65e3.pdf
Spec. No. : C727E3 Issued Date : 2010.08.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 1.2(typ.) MTN8N65E3 ID : 7.5A Description The MTN8N65E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: STB11NM60FD-1
