MTN8N65FI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MTN8N65FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для MTN8N65FI
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MTN8N65FI даташит
mtn8n65fi.pdf
Spec. No. C727FI Issued Date 2012.09.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2015.03.16 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V MTN8N65FI ID @ VGS=10V, TC=25 C 7.5A 1.2 RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=3.75A Description The MTN8N65FI is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, r
mtn8n65fp.pdf
Spec. No. C727FP Issued Date 2009.06.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.08 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 1.2 (typ.) MTN8N65FP ID 7.5A Description The MTN8N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
mtn8n65ea.pdf
Spec. No. C727EA Issued Date 2010.12.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.12.29 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 1.1 (typ.) MTN8N65EA ID 7.5A Description The MTN8N65EA is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re
mtn8n65e3.pdf
Spec. No. C727E3 Issued Date 2010.08.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 1.2 (typ.) MTN8N65E3 ID 7.5A Description The MTN8N65E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a
Другие MOSFET... MTM98240 , MTM982400BBF , MTMC8E2A , MTN12N30FP , MTN12N60BFP , MTN1N60L3 , MTN2300AN3 , MTN4N65F3 , STP75NF75 , MTN9N50FP , MTP10N08 , MTP10N10 , MTP10N10E , MTP10N10ELG , MTP10N25 , MTP10N35 , MTP10N40 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03




