RFH10N50 Todos los transistores

 

RFH10N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFH10N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO218AC
 

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RFH10N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:32K  harris semi
 rfh10n45 rfh10n50.pdf pdf_icon

RFH10N50

RFH10N45, RFH10N50SemiconductorData Sheet October 1998 File Number 1629.210A, 450V and 500V, 0.600 Ohm, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 10A, 450V and 500V[ /TitleThese are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600(RFH10power field effect transistors designed for applications such Related Literatureas switching regulators, switching converters, m

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History: FQT1N80TF-WS | CS45N06A4 | HM4402B | VS3P07C | H06N60U | IRF250P224 | SPB07N60C2

 

 
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