RFH10N50 Todos los transistores

 

RFH10N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFH10N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO218AC

 Búsqueda de reemplazo de RFH10N50 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RFH10N50 datasheet

 ..1. Size:32K  harris semi
 rfh10n45 rfh10n50.pdf pdf_icon

RFH10N50

RFH10N45, RFH10N50 Semiconductor Data Sheet October 1998 File Number 1629.2 10A, 450V and 500V, 0.600 Ohm, Features N-Channel Power MOSFETs 10A, 450V and 500V [ /Title These are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600 (RFH10 power field effect transistors designed for applications such Related Literature as switching regulators, switching converters, m

Otros transistores... MTP10N10E , MTP10N10ELG , MTP10N25 , MTP10N35 , MTP10N40 , MTP10N40E , MTP12N08L , RFH10N45 , 13N50 , SMD15N05 , SMU15N05 , MTP12N10E , MTP12N10L , MTP12N18 , MTP12N20 , MTP12P05 , MTP12P06 .

History: IRLML6402GPBF | AP3989R | KHB1D9N60D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.