Справочник MOSFET. RFH10N50

 

RFH10N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFH10N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO218AC
 

 Аналог (замена) для RFH10N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFH10N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:32K  harris semi
 rfh10n45 rfh10n50.pdf pdf_icon

RFH10N50

RFH10N45, RFH10N50SemiconductorData Sheet October 1998 File Number 1629.210A, 450V and 500V, 0.600 Ohm, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 10A, 450V and 500V[ /TitleThese are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600(RFH10power field effect transistors designed for applications such Related Literatureas switching regulators, switching converters, m

Другие MOSFET... MTP10N10E , MTP10N10ELG , MTP10N25 , MTP10N35 , MTP10N40 , MTP10N40E , MTP12N08L , RFH10N45 , TK10A60D , SMD15N05 , SMU15N05 , MTP12N10E , MTP12N10L , MTP12N18 , MTP12N20 , MTP12P05 , MTP12P06 .

History: JFAM20N60C | MTP12N20 | P6503NJ

 

 
Back to Top

 


 
.