MTP15N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP15N05
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MTP15N05 MOSFET
MTP15N05 Datasheet (PDF)
mtp15n06vl.pdf
MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP15N06VL/DDesigner's Data SheetMTP15N06VLTMOS VPower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-15 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTSnew technology more tha
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History: STP11NK50ZFP | SUP90P06-09L | RF4C100BC | BUK553-60B | TP2302NR | BUK6208-40C | SFS9614
History: STP11NK50ZFP | SUP90P06-09L | RF4C100BC | BUK553-60B | TP2302NR | BUK6208-40C | SFS9614
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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