MTP15N05 Todos los transistores

 

MTP15N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP15N05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de MTP15N05 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MTP15N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  njs
 mtp15n05 mtp15n06.pdf pdf_icon

MTP15N05

 0.1. Size:459K  st
 mtp15n05l-06l-fi.pdf pdf_icon

MTP15N05

 0.2. Size:87K  njs
 mtp15n05e.pdf pdf_icon

MTP15N05

 7.1. Size:216K  motorola
 mtp15n06vl.pdf pdf_icon

MTP15N05

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP15N06VL/DDesigner's Data SheetMTP15N06VLTMOS VPower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-15 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTSnew technology more tha

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... MTP12N10L , MTP12N18 , MTP12N20 , MTP12P05 , MTP12P06 , MTP12P08 , MTP12P10 , MTP12P10G , IRF1407 , MTP15N05E , MTP15N06 , MTP1N100 , MTP1N50 , MTP1N50E , MTP1N55 , MTP1N60 , MTP1N60E .

 

 
Back to Top

 


 
.