MTP15N05 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTP15N05
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для MTP15N05
MTP15N05 Datasheet (PDF)
mtp15n06vl.pdf
MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP15N06VL/DDesigner's Data SheetMTP15N06VLTMOS VPower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-15 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTSnew technology more tha
Другие MOSFET... MTP12N10L , MTP12N18 , MTP12N20 , MTP12P05 , MTP12P06 , MTP12P08 , MTP12P10 , MTP12P10G , 20N50 , MTP15N05E , MTP15N06 , MTP1N100 , MTP1N50 , MTP1N50E , MTP1N55 , MTP1N60 , MTP1N60E .
History: 2SK2350 | STA6968 | IRFP242R | DMN2004WK | SLD5N65S | WST3407A | AP2N3R7LYT
History: 2SK2350 | STA6968 | IRFP242R | DMN2004WK | SLD5N65S | WST3407A | AP2N3R7LYT
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet