MTP2N18 Todos los transistores

 

MTP2N18 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP2N18
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTP2N18 Datasheet (PDF)

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 irf610 irf611 irf612 irf613 mtp2n18 mtp2n20.pdf pdf_icon

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N40E/DDesigner's Data SheetMTP2N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without400 VOLTSdegra

 9.2. Size:244K  motorola
 mtp2n50e.pdf pdf_icon

MTP2N18

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N50E/DDesigner's Data SheetMTP2N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegra

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History: IPP65R125C7 | SPP80P06PH | IRFPC42R | SIHF9540S | AONS66402T | HITJ0203MP | BRCS4606HSC

 

 
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