Справочник MOSFET. MTP2N18

 

MTP2N18 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP2N18
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2N18 Datasheet (PDF)

 ..2. Size:107K  njs
mtp2n18 mtp2n20.pdfpdf_icon

MTP2N18

 9.1. Size:217K  motorola
mtp2n40erev0bx.pdfpdf_icon

MTP2N18

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N40E/DDesigner's Data SheetMTP2N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without400 VOLTSdegra

 9.2. Size:244K  motorola
mtp2n50e.pdfpdf_icon

MTP2N18

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N50E/DDesigner's Data SheetMTP2N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegra

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: PTP02N03N | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2 | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.