Справочник MOSFET. MTP2N18

 

MTP2N18 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP2N18
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTP2N18

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2N18 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  1
 irf610 irf611 irf612 irf613 mtp2n18 mtp2n20.pdf pdf_icon

MTP2N18

 ..2. Size:107K  njs
 mtp2n18 mtp2n20.pdf pdf_icon

MTP2N18

 9.1. Size:217K  motorola
 mtp2n40erev0bx.pdf pdf_icon

MTP2N18

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N40E/DDesigner's Data SheetMTP2N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without400 VOLTSdegra

 9.2. Size:244K  motorola
 mtp2n50e.pdf pdf_icon

MTP2N18

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N50E/DDesigner's Data SheetMTP2N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP20N15EG , MTP20N20E , MTP20P06 , MTP23P06V , MTP23P06VG , MTP25N05E , MTP2955 , MTP2955V , K2611 , MTP2N20 , MTP2N35 , MTP2N40 , MTP2N40E , MTP2N45 , MTP2N50E , MTP2N55 , MTP2N60 .

History: IRFI4228 | 2SK1142 | NVTFS5C670NL

 

 
Back to Top

 


 
.