MTP2N60 Todos los transistores

 

MTP2N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP2N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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MTP2N60 datasheet

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2N60E/D Designer's Data Sheet MTP2N60E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 2.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 600 VOLTS degra

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