Справочник MOSFET. MTP2N60

 

MTP2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTP2N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2N60 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:190K  motorola
mtp2n60e.pdfpdf_icon

MTP2N60

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N60E/DDesigner's Data SheetMTP2N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without600 VOLTSdegra

 0.2. Size:219K  motorola
mtp2n60erev2a.pdfpdf_icon

MTP2N60

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N60E/DDesigner's Data SheetMTP2N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without600 VOLTSdegra

 0.3. Size:106K  njs
mtp2n60e.pdfpdf_icon

MTP2N60

Другие MOSFET... MTP2N18 , MTP2N20 , MTP2N35 , MTP2N40 , MTP2N40E , MTP2N45 , MTP2N50E , MTP2N55 , RU7088R , MTP2N60E , MTP2N80 , MTP2N85 , MTP2N90 , MTP2P45 , MTP2P50 , MTP2P50EG , MTP3055V .

 

 
Back to Top

 


 
.