MTP2N60 - описание и поиск аналогов

 

MTP2N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP2N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP2N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2N60 даташит

 ..1. Size:56K  motorola
 mtp1n100 mtp1n55 mtp1n95 mtp20p06 mtp2955 mtp2n55 mtp2n60 mtp2n85 mtp2p45 mtp2p50 mtp3n100 mtp3n75 mtp3n80 mtp3n95 mtp3p25 mtp4n85.pdf pdf_icon

MTP2N60

 0.1. Size:190K  motorola
 mtp2n60e.pdf pdf_icon

MTP2N60

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2N60E/D Designer's Data Sheet MTP2N60E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 2.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 600 VOLTS degra

 0.2. Size:219K  motorola
 mtp2n60erev2a.pdf pdf_icon

MTP2N60

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2N60E/D Designer's Data Sheet MTP2N60E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 2.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 600 VOLTS degra

 0.3. Size:106K  njs
 mtp2n60e.pdf pdf_icon

MTP2N60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP2N18 , MTP2N20 , MTP2N35 , MTP2N40 , MTP2N40E , MTP2N45 , MTP2N50E , MTP2N55 , IRFZ48N , MTP2N60E , MTP2N80 , MTP2N85 , MTP2N90 , MTP2P45 , MTP2P50 , MTP2P50EG , MTP3055V .

History: IXFH18N65X2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.