Справочник MOSFET. MTP2N60

 

MTP2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  motorola
 mtp1n100 mtp1n55 mtp1n95 mtp20p06 mtp2955 mtp2n55 mtp2n60 mtp2n85 mtp2p45 mtp2p50 mtp3n100 mtp3n75 mtp3n80 mtp3n95 mtp3p25 mtp4n85.pdf pdf_icon

MTP2N60

 0.1. Size:190K  motorola
 mtp2n60e.pdf pdf_icon

MTP2N60

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N60E/DDesigner's Data SheetMTP2N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without600 VOLTSdegra

 0.2. Size:219K  motorola
 mtp2n60erev2a.pdf pdf_icon

MTP2N60

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N60E/DDesigner's Data SheetMTP2N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without600 VOLTSdegra

 0.3. Size:106K  njs
 mtp2n60e.pdf pdf_icon

MTP2N60

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: GFB70N03 | CHM4955JGP | MTM3N80 | IPP120N04S3-02 | FL6L5201 | IRF7475 | APTM100A23SCTG

 

 
Back to Top

 


 
.