MTP36N06V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP36N06V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 39 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 138 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 337 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP36N06V

MTP36N06V Datasheet (PDF)

..1. Size:165K motorola
mtp36n06v.pdf

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP36N06V/DDesigner's Data SheetMTP36N06VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-32 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTSn

..2. Size:188K motorola
mtp36n06v .pdf

..3. Size:202K onsemi
mtp36n06v.pdf

MTP36N06VPreferred DevicePower MOSFET32 Amps, 60 VoltsN-Channel TO-220This Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. Designed for low voltage, highhttp://onsemi.comspeed switching applications in power supplies, converters and powermotor controls, these devices are particularly well suited for bridge32 AMPEREScircuits where di

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: