MTP36N06V Todos los transistores

 

MTP36N06V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP36N06V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 138 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 337 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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MTP36N06V Datasheet (PDF)

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MTP36N06V

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP36N06V/DDesigner's Data SheetMTP36N06VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-32 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTSn

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MTP36N06V

MTP36N06VPreferred DevicePower MOSFET32 Amps, 60 VoltsN-Channel TO-220This Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. Designed for low voltage, highhttp://onsemi.comspeed switching applications in power supplies, converters and powermotor controls, these devices are particularly well suited for bridge32 AMPEREScircuits where di

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History: 2SJ578 | IRF3709L | HUF75637S3

 

 
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