MTP4N45 Todos los transistores

 

MTP4N45 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP4N45
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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MTP4N45 Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP4N40E/DDesigner's Data SheetMTP4N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination4.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without400 VOLTSdegra

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 mtp4n40erev2.pdf pdf_icon

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP4N40E/DDesigner's Data SheetMTP4N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination4.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without400 VOLTSdegra

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History: PA610DTF | ME70N03S-G | SWI8N65D | DH400P06F | IXFT86N30T | IRFS723 | IPB180N08S4-02

 

 
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