MTP4N45 - описание и поиск аналогов

 

MTP4N45. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP4N45

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP4N45

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP4N45 даташит

 ..1. Size:145K  fairchild semi
 mtm4n45 mtm4n50 mtp4n45 mtp4n50.pdf pdf_icon

MTP4N45

 8.1. Size:138K  motorola
 mtp4n40e.pdf pdf_icon

MTP4N45

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP4N40E/D Designer's Data Sheet MTP4N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 4.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 400 VOLTS degra

 8.2. Size:239K  motorola
 mtp4n40erev2.pdf pdf_icon

MTP4N45

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP4N40E/D Designer's Data Sheet MTP4N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 4.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 400 VOLTS degra

 9.1. Size:254K  motorola
 mtp4n50erev1a.pdf pdf_icon

MTP4N45

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP4N50E/D Designer's Data Sheet MTP4N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 4.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 500 VOLTS This new

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP3N55 , MTP3N75 , MTP3N80 , MTP3N95 , MTP3P25 , MTP4N08 , MTP4N10 , MTP4N40E , IRF540 , MTP4N50 , MTP4N60 , MTP4N80E , MTP4N85 , MTP4N90 , MTP50N06V , MTP50P03HDLG , MTP5N05 .

History: WM04N50M | TPCA8A01-H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.