MTP5N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP5N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Encapsulados: TO-220C
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MTP5N60 datasheet
mtp5n40e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP5N40E/D Designer's Data Sheet MTP5N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 5.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 400 VOLTS This new
mtp5n40erev1a.pdf
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History: NTMS5838NL | NTMS4802N | BLF7G22L-130
History: NTMS5838NL | NTMS4802N | BLF7G22L-130
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