MTP5N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTP5N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220C
MTP5N60 Datasheet (PDF)
mtp5n40e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP5N40E/DDesigner's Data SheetMTP5N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to5.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.400 VOLTSThis new
mtp5n40erev1a.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP5N40E/DDesigner's Data SheetMTP5N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to5.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.400 VOLTSThis new
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: VN1204N5 | TMP2N60Z | CM8N80 | SIHF840 | IRF6610
History: VN1204N5 | TMP2N60Z | CM8N80 | SIHF840 | IRF6610
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44