MTP6N60E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP6N60E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: TO-220AB
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MTP6N60E datasheet
mtp6n60e.pdf
TMOS E-FET. MTP6N60E Power Field Effect Transistor ON Semiconductor Preferred Device N Channel Enhancement Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme TMOS POWER FET to provide enhanced voltage blocking capability without degrading 6.0 AMPERES performance over time. In addition, this advanced TMOS E FET is 600 VOLTS designed to withstand
mtp6n60erev3.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP6N60E/D Designer's Data Sheet MTP6N60E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 6.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 600 VOLTS degra
mtp6n60.pdf
MTP6N60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D MTP6N60 600 V
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History: MTP5N40E | BSP171P | LSF65R380GF | BUK6207-30C
History: MTP5N40E | BSP171P | LSF65R380GF | BUK6207-30C
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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