MTP6N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP6N60E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 35.5 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 158 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP6N60E
MTP6N60E Datasheet (PDF)
mtp6n60e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TMOS E-FET.MTP6N60EPower Field Effect TransistorON Semiconductor Preferred DeviceNChannel EnhancementMode Silicon GateThis high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeTMOS POWER FETto provide enhanced voltageblocking capability without degrading6.0 AMPERESperformance over time. In addition, this advanced TMOS EFET is600 VOLTSdesigned to withstand
mtp6n60erev3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP6N60E/DDesigner's Data SheetMTP6N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination6.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without600 VOLTSdegra
mtp6n60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MTP6N60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DMTP6N60 600 V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: OSG65R760DF