MTP6N60E - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

MTP6N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: MTP6N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP6N60E

MTP6N60E Datasheet (PDF)

..1. Size:28K motorola
mtp6n60e.pdf

TMOS E-FET.MTP6N60EPower Field Effect TransistorON Semiconductor Preferred DeviceNChannel EnhancementMode Silicon GateThis high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeTMOS POWER FETto provide enhanced voltageblocking capability without degrading6.0 AMPERESperformance over time. In addition, this advanced TMOS EFET is600 VOLTSdesigned to withstand

0.1. Size:156K motorola
mtp6n60erev3.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP6N60E/DDesigner's Data SheetMTP6N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination6.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without600 VOLTSdegra

7.1. Size:153K st
mtp6n60.pdf