MTP6P20E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP6P20E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 22 nC
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 128 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP6P20E
MTP6P20E Datasheet (PDF)
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MTP6P20EPreferred DevicePower MOSFET6 Amps, 200 VoltsPChannel TO220This Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. The energy efficient design alsohttp://onsemi.comoffers a draintosource diode with a fast recovery time. Designed forlow voltage, high speed switching applications in power supplies,6 AMPERESconverters
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