MTP6P20E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP6P20E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 128 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
MTP6P20E Datasheet (PDF)
mtp6p20e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP6P20E/DDesigner's Data SheetMTP6P20ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorPChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high6.0 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy200 VOLTSeffic
mtp6p20e.pdf
MTP6P20EPreferred DevicePower MOSFET6 Amps, 200 VoltsPChannel TO220This Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. The energy efficient design alsohttp://onsemi.comoffers a draintosource diode with a fast recovery time. Designed forlow voltage, high speed switching applications in power supplies,6 AMPERESconverters
mtp6p20erev0x.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP6P20E/DDesigner's Data SheetMTP6P20ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorPChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high6.0 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy200 VOLTSeffic
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
