MTW10N100E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTW10N100E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AE
Búsqueda de reemplazo de MTW10N100E MOSFET
MTW10N100E Datasheet (PDF)
mtw10n100e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW10N100E/DDesigner's Data SheetMTW10N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 10 AMPERES1000 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.3 OHMscheme to pro
mtw10n100erev3.pdf
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History: 7N65G-TN3-R | F11S80C3 | FTK10N65F | 2SK3058-S | SIR172DP | SWT45N65K2 | IXFR80N50Q3
History: 7N65G-TN3-R | F11S80C3 | FTK10N65F | 2SK3058-S | SIR172DP | SWT45N65K2 | IXFR80N50Q3
Liste
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