Справочник MOSFET. MTW10N100E

 

MTW10N100E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTW10N100E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AE
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW10N100E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  motorola
 mtw10n100e.pdf pdf_icon

MTW10N100E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW10N100E/DDesigner's Data SheetMTW10N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 10 AMPERES1000 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.3 OHMscheme to pro

 0.1. Size:192K  motorola
 mtw10n100erev3.pdf pdf_icon

MTW10N100E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW10N100E/DDesigner's Data SheetMTW10N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 10 AMPERES1000 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.3 OHMscheme to pro

 8.1. Size:74K  motorola
 mtw10n40e.pdf pdf_icon

MTW10N100E

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HCS70R180S | IXTQ22N60P | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | HGP105N15S

 

 
Back to Top

 


 
.