MTW10N100E - аналоги и даташиты транзистора

 

MTW10N100E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTW10N100E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 100 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AE
 

 Аналог (замена) для MTW10N100E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW10N100E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  motorola
 mtw10n100e.pdf pdf_icon

MTW10N100E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW10N100E/DDesigner's Data SheetMTW10N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 10 AMPERES1000 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.3 OHMscheme to pro

 0.1. Size:192K  motorola
 mtw10n100erev3.pdf pdf_icon

MTW10N100E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW10N100E/DDesigner's Data SheetMTW10N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 10 AMPERES1000 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.3 OHMscheme to pro

 8.1. Size:74K  motorola
 mtw10n40e.pdf pdf_icon

MTW10N100E

Другие MOSFET... MTP7P05 , MTP7P06 , MTP8N20 , MTP8N50E , MTP8N60 , MTP8P08 , MTP8P10 , MTP8P25 , AO3401 , MTW10N40E , MTW14N50E , MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG .

History: MTW24N40E | MTW20N50E | MTW26N15E

 

 
Back to Top

 


 
.