MTW16N40E Todos los transistores

 

MTW16N40E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTW16N40E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AE
 

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MTW16N40E Datasheet (PDF)

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MTW16N40E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW16N40E/DDesigner's Data SheetMTW16N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 16 AMPERES400 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 0.24 OHMscheme to provi

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MTW16N40E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW16N40E/DDesigner's Data SheetMTW16N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 16 AMPERES400 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 0.24 OHMscheme to provi

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History: P1504EIS | IPD60R1K5CE | CHM4435AZGP | PB210BI | AOB11S65 | NTMFS4C054N | BUK95150-55A

 

 
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