MTW16N40E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTW16N40E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: TO-247AE
Аналог (замена) для MTW16N40E
MTW16N40E Datasheet (PDF)
mtw16n40e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW16N40E/DDesigner's Data SheetMTW16N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 16 AMPERES400 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 0.24 OHMscheme to provi
mtw16n40erev3.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW16N40E/DDesigner's Data SheetMTW16N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 16 AMPERES400 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 0.24 OHMscheme to provi
Другие MOSFET... MTP8N50E , MTP8N60 , MTP8P08 , MTP8P10 , MTP8P25 , MTW10N100E , MTW10N40E , MTW14N50E , 4435 , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E .
History: MTW35N15E | MTW33N10E
History: MTW35N15E | MTW33N10E
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM406MNQ | AGM406MNA | AGM406MBQ | AGM406MBP | AGM406AP | AGM405Q | AGM405MNA | AGM405MBP | AGM405F | AGM405DG | AGM405D | AGM405AP2 | AGM405AP1 | AGM405A | AGM404Q | AGM404D
Popular searches
irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor