MTW16N40E - описание и поиск аналогов

 

MTW16N40E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTW16N40E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO-247AE

Аналог (замена) для MTW16N40E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW16N40E даташит

 ..1. Size:145K  motorola
 mtw16n40e.pdf pdf_icon

MTW16N40E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW16N40E/D Designer's Data Sheet MTW16N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 16 AMPERES 400 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 0.24 OHM scheme to provi

 0.1. Size:217K  motorola
 mtw16n40erev3.pdf pdf_icon

MTW16N40E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW16N40E/D Designer's Data Sheet MTW16N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 16 AMPERES 400 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 0.24 OHM scheme to provi

Другие MOSFET... MTP8N50E , MTP8N60 , MTP8P08 , MTP8P10 , MTP8P25 , MTW10N100E , MTW10N40E , MTW14N50E , 4435 , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E .

History: TK34A10N1 | P7004EM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.