MTW23N25E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTW23N25E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 82 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AE
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTW23N25E
MTW23N25E Datasheet (PDF)
mtw23n25e.pdf
MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW23N25E/DDesigner's Data SheetMTW23N25ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 23 AMPERES 250 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.11 OHMenergy in
mtw23n25erev2.pdf
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