MTW23N25E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTW23N25E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Encapsulados: TO-247AE
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MTW23N25E datasheet
mtw23n25e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW23N25E/D Designer's Data Sheet MTW23N25E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 23 AMPERES 250 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.11 OHM energy in
mtw23n25erev2.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW23N25E/D Designer's Data Sheet MTW23N25E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 23 AMPERES 250 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.11 OHM energy in
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