Справочник MOSFET. MTW23N25E

 

MTW23N25E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTW23N25E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AE
 

 Аналог (замена) для MTW23N25E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW23N25E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  motorola
 mtw23n25e.pdf pdf_icon

MTW23N25E

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW23N25E/DDesigner's Data SheetMTW23N25ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 23 AMPERES 250 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.11 OHMenergy in

 0.1. Size:152K  motorola
 mtw23n25erev2.pdf pdf_icon

MTW23N25E

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW23N25E/DDesigner's Data SheetMTW23N25ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 23 AMPERES 250 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.11 OHMenergy in

Другие MOSFET... MTP8P08 , MTP8P10 , MTP8P25 , MTW10N100E , MTW10N40E , MTW14N50E , MTW16N40E , MTW20N50E , IRF9540N , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E .

History: CEF09N7G | LSD65R180GT | BLS65R041F-W | FIR14NS70AFG | PHP79NQ08LT | SGSP577 | SWN4N80K

 

 
Back to Top

 


 
.