Справочник MOSFET. MTW23N25E

 

MTW23N25E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTW23N25E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AE
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW23N25E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  motorola
 mtw23n25e.pdf pdf_icon

MTW23N25E

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW23N25E/DDesigner's Data SheetMTW23N25ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 23 AMPERES 250 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.11 OHMenergy in

 0.1. Size:152K  motorola
 mtw23n25erev2.pdf pdf_icon

MTW23N25E

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW23N25E/DDesigner's Data SheetMTW23N25ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 23 AMPERES 250 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.11 OHMenergy in

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AO8830 | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | BLF7G27LS-200PB | PNMET20V06E

 

 
Back to Top

 


 
.