MTW24N40E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTW24N40E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 96 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Encapsulados: TO-247AE
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MTW24N40E datasheet
mtw24n40e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW24N40E/D Designer's Data Sheet MTW24N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 24 AMPERES 400 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 0.16 OHM scheme to provi
mtw24n40erev4.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW24N40E/D Designer's Data Sheet MTW24N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 24 AMPERES 400 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 0.16 OHM scheme to provi
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