MTW24N40E Todos los transistores

 

MTW24N40E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTW24N40E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 96 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AE
 

 Búsqueda de reemplazo de MTW24N40E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MTW24N40E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  motorola
 mtw24n40e.pdf pdf_icon

MTW24N40E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW24N40E/DDesigner's Data SheetMTW24N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 24 AMPERES400 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 0.16 OHMscheme to provi

 0.1. Size:174K  motorola
 mtw24n40erev4.pdf pdf_icon

MTW24N40E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW24N40E/DDesigner's Data SheetMTW24N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 24 AMPERES400 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 0.16 OHMscheme to provi

Otros transistores... MTP8P10 , MTP8P25 , MTW10N100E , MTW10N40E , MTW14N50E , MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , IRFB3607 , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E , MTW6N60E .

History: 8N65KG-TF2-T | AD4N60S | HY3712P | PJ4N3KDW | PMV30UN | VMO60-05F | 2N5199

 

 
Back to Top

 


 
.