MTW24N40E Todos los transistores

 

MTW24N40E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTW24N40E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 96 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AE
 

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MTW24N40E Datasheet (PDF)

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MTW24N40E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW24N40E/DDesigner's Data SheetMTW24N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 24 AMPERES400 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 0.16 OHMscheme to provi

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MTW24N40E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW24N40E/DDesigner's Data SheetMTW24N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 24 AMPERES400 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 0.16 OHMscheme to provi

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History: PH5330E | HMS7N65K | SPA06N80C3 | TF3423 | FQD7P06TF | IRHF67230 | HM6803

 

 
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