Справочник MOSFET. MTW24N40E

 

MTW24N40E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTW24N40E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 96 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AE
 

 Аналог (замена) для MTW24N40E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW24N40E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  motorola
 mtw24n40e.pdf pdf_icon

MTW24N40E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW24N40E/DDesigner's Data SheetMTW24N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 24 AMPERES400 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 0.16 OHMscheme to provi

 0.1. Size:174K  motorola
 mtw24n40erev4.pdf pdf_icon

MTW24N40E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW24N40E/DDesigner's Data SheetMTW24N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 24 AMPERES400 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 0.16 OHMscheme to provi

Другие MOSFET... MTP8P10 , MTP8P25 , MTW10N100E , MTW10N40E , MTW14N50E , MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , IRFB3607 , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E , MTW6N60E .

History: AFP2311A | ZXMP6A17GTA | SI4638DY | BLP032N06-Q | PE8A8BA | HGB105N15SL | 8N80L-TF2-T

 

 
Back to Top

 


 
.